V košíku nemáte žádné položky

DFM1200NXM33-A000

Diodový modul s rychlým zotavením 3300V/1200A, Dvojice, AlSiC

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

Diodový modul s rychlým zotavením 3300V/1200A, Dvojice, AlSiC

Hodnota

Mezera (podle čísla výrobku)

999.99 [mm]

Značení výrobce	DFM1200NXM33-A000
Typ pouzdra:	MODUL
Pouzdro:	MODUL - N
Kategorie	Diode Fast Module
Typ součástky:	Diode fast
Konfigurace:	2xDioda, samostatně ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	3300 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
If (AV) per pkg.	2400 [A]
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	1200 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=70÷79°C)	1200 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	6000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	2.5 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (zpětný proud)	90000 [µA]
I²t (T_C/T_A=25°C)	720 *[1000A²s]**
P_max s chladičem (T_C=25°C)	6250 [W]

Typ materiálu:	Si-Silicon
Material Base	ALSiC

T_min (minimální pracovní teplota)	-40 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	125 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.016 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²

Rozměry vývodů

0.00 [mm]

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:*
Souhlasím se zpracováním osobních údajů pro zpracování mého dotazu Více informací

Vaše jméno	Váš email
e-mail Vašeho známého
Podívej se na https://www.semic.cz/dfm1200nxm33-a000/
Opište kod z obrázku