Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DG858DW45

GTO Tyristor 4500V/1100A, ochrana proti chybě bez pojistky

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DG858DW45 Dynex Semiconductor
DG858DW45 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:180719
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 57 628,670 Kč
Cena bez DPH : 47 627,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DG858DW45
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 47 627,000 Kč57 628,670 Kč
3 + 46 436,000 Kč56 187,560 Kč
6 + 44 055,000 Kč53 306,550 Kč
12 + 40 483,000 Kč48 984,430 Kč
GTO Tyristor 4500V/1100A, ochrana proti chybě bez pojistky

Základní informace:

Značení výrobceDG858DW45 
KategorieThyristor GTO 
Typ součástky:Thyristor GTO 
Konfigurace:single TY  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:PUK 
Pouzdro:PUK120/84x27T 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1700 [g]
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 4500 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1100 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)1100 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)750 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)300 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)2000 [1000*A2s]
tf/tq (Turn-off / fall time)2500 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.011 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]
Fmin:36000 [N]
Fmax:44000 [N]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:5SGA 40L4501 
Podobné výrobky 2:FG3000GX-90DA 

Potřebujete poradit ? DG858DW45 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace