- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- DIM 125PHM33-TS000
DIM 125PHM33-TS000
SPT IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, nízké spínací ztráty
| ID Code: | 185401 |
| Výrobce: | Dynex Semiconductor |
| Cena s DPH : | 13 416,4800 Kč |
| Cena bez DPH : | 11 088,0000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | DIM125PHM33-TS000 |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 11 088,0000 Kč | 13 416,4800 Kč | ||
| 3 + | 10 811,0000 Kč | 13 081,3100 Kč | ||
| 6 + | 10 256,0000 Kč | 12 409,7600 Kč | ||
| 12 + | 9 425,0000 Kč | 11 404,2500 Kč |
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, technologie chipu Soft Punch Through a DMOS s vysokou proudovou hustotou.
Základní informace:
| Značení výrobce | DIM125PHM33-TS000 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| Material Base | ALSiC |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | MODUL - P |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 700 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 4 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 3300 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 125 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C) | 125 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 5 [1000*A2s] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 1300 [W] |
| Esw (125°C) | 1200 [mJ] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| tr (Turn-on / rise time) | 520 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 610 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 2500 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 22500 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.096 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| W - Šířka | 73 [mm] |
| L - Délka | 140 [mm] |
| H - Výška | 38 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 140x73x38 [mm] |