Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

DIM 125PHM33-TS000

SPT IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, nízké spínací ztráty

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:185401
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 13 416,4800 Kč
Cena bez DPH : 11 088,0000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM125PHM33-TS000
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 11 088,0000 Kč13 416,4800 Kč
3 + 10 811,0000 Kč13 081,3100 Kč
6 + 10 256,0000 Kč12 409,7600 Kč
12 + 9 425,0000 Kč11 404,2500 Kč
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, technologie chipu Soft Punch Through a DMOS s vysokou proudovou hustotou.

Základní informace:

Značení výrobceDIM125PHM33-TS000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:2*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - P 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:700 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)125 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)[1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1300 [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)520 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)610 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2500 [nC]
Cin (Input Capacitance)22500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.096 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

W - Šířka 73 [mm]
L - Délka 140 [mm]
H - Výška 38 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)140x73x38 [mm]

Potřebujete poradit ? DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace