Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DIM 125PHM33-TS000

SPT IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, nízké spínací ztráty

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:185401
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 13 416,480 Kč
Cena bez DPH : 11 088,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM125PHM33-TS000
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 11 088,000 Kč13 416,480 Kč
3 + 10 811,000 Kč13 081,310 Kč
6 + 10 256,000 Kč12 409,760 Kč
12 + 9 425,000 Kč11 404,250 Kč
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, technologie chipu Soft Punch Through a DMOS s vysokou proudovou hustotou.

Základní informace:

Značení výrobceDIM125PHM33-TS000 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - P 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:500 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)125 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)[1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1300 [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)520 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)610 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.001 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)2500 [nC]
Cin (Input Capacitance)22500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.096 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Váš dotaz DIM 125PHM33-TS000

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace