- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- DIM 125PHM65-TS000
DIM 125PHM65-TS000
SPT IGBT Module 6500V/125A Half Bridge, nízké spínací ztráty
Zboží již není skladem
| ID Code: | 185427 |
| Výrobce: | Dynex Semiconductor |
| Cena: | na dotaz |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | DIM125PHM65-TS000 |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH |
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, technologie chipu Soft Punch Through a DMOS s vysokou proudovou hustotou.
Základní informace:
| Značení výrobce | DIM125PHM65-TS000 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| Material Base | ALSiC |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | MODUL - P |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 700 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 4 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 6500 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 125 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 125 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 3.3 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.8 [V] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 11 [1000*A2s] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 1850 [W] |
| Esw (125°C) | 1200 [mJ] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| tr (Turn-on / rise time) | 340 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 450 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 2000 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 20000 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.054 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.108 [°C/W] |
| W - Šířka | 73 [mm] |
| L - Délka | 140 [mm] |
| H - Výška | 38 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 140x73x38 [mm] |