Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DIM 450M1HS17-PA500

IGBT 1700V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM 450M1HS17-PA500 Dynex Semiconductor
DIM 450M1HS17-PA500 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:185022
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 3 950,650 Kč
Cena bez DPH : 3 265,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM450M1HS17-PA500
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 3 265,000 Kč3 950,650 Kč
3 + 3 146,000 Kč3 806,660 Kč
6 + 2 820,000 Kč3 412,200 Kč
12 + 2 523,000 Kč3 052,830 Kč
IGBT 1700V

Základní informace:

Značení výrobceDIM450M1HS17-PA500 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMIX-3p 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:345 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)450 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)450 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3400 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)16.2 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)2270 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)560 [ns]
Qg (Total Gate Charge)4400 [nC]
Cin (Input Capacitance)42000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.055 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.095 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:183413 - TG 450HF17M1-S300 (DYN) 
Podobné výrobky 1:TG450HF17M1-S300 

Potřebujete poradit ? DIM 450M1HS17-PA500 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace