IGBT Module 3300V/500A , Dual , AlSiC , Gen4 DMOS, Low Switching Loss Range
Základní informace:
Značení výrobce | DIM500GDM33-PS500 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | single 2*(T+D) ? |
Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | MODUL-G |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 1250 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 2 |
Elektro-fyzikální parametry:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 500 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C) | 500 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.6 [VDC] ?Testovací podmínky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.4 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 80000 [A2s] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 5200 [W] |
Esw (125°C) | 2400 [mJ] |
tr (Turn-on / rise time) | 260 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 520 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 9000 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 90000 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
Rozměry (L*W*H) [mm]: | 130x160x38 |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.024 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.048 [°C/W] |
L - Délka | 130 [mm] |
W - Šířka | 160 [mm] |
H - Výška | 38 [mm] |