IGBT Module 3300V/500A , Dual , AlSiC , Gen4 DMOS, Low Switching Loss Range
Información básica:
Fabricante de la marca | DIM500GDM33-PS500 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | single 2*(T+D) |
Construcción: | 2*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | MODUL-G |
Tipo de material: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 1250 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 2 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 500 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 500 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.6 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.4 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 80000 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 5200 [W] |
Esw (125°C) | 2400 [mJ] |
tr (Turn-on / rise time) | 260 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 520 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 9000 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 90000 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 130x160x38 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.024 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.048 [°C/W] |
L - Longitud | 130 [mm] |
W - Ancho | 160 [mm] |
H - Altura | 38 [mm] |