IGBT 1200V
ID Code: | 185023 |
Výrobce: | Dynex Semiconductor |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | DIM600M1HS12-PC500 |
Jednotka:: | ks |
Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH |
Značení výrobce | DIM600M1HS12-PC500 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
Typ pouzdra: | MODUL |
Pouzdro: | SEMIX-3p |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 450 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 10 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 600 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 600 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] ? Testovací podmínky: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 21.6 [1000*A2s] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 3000 [W] |
Input Logic Level (UGS level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 110 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 120 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 6900 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 93000 [pF] |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.049 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.077 [°C/W] |
W - Šířka | 62 [mm] |
L - Délka | 150 [mm] |
H - Výška | 21 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 150x62x21 [mm] |
Alternativa 1: | 183412 - TG 450HF12M1-S3A00 (DYN) |