Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DIM1000ECM33-MS018

IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor
DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:182758
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 52 826,1800 Kč
Cena bez DPH : 43 658,0000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM1000ECM33-MS018
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 43 658,0000 Kč52 826,1800 Kč
3 + 42 567,0000 Kč51 506,0700 Kč
6 + 40 384,0000 Kč48 864,6400 Kč
12 + 37 109,0000 Kč44 901,8900 Kč
IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

Základní informace:

Značení výrobceDIM1000ECM33-MS018 
Typ součástky:IGBT-SPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single-E2*(T+D)+D(Chopper)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:2*IGBT+3*D 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ materiálu:AlSiC základna 
Materiál: TělesoSi-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - E 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1900 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1000 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.6 [V]
I2t (TC/TA=25°C)320 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)11900 [W]
Esw (125°C)4750 [mJ]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)470 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)640 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.006 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.01 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.018 [°C/W]
W - Šířka 140 [mm]
L - Délka 190 [mm]
H - Výška 38 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)190x140x38 [mm]

Potřebujete poradit ? DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace