- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- DIM1000ECM33-MS018
DIM1000ECM33-MS018
IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,
| ID Code: | 182758 |
| Výrobce: | Dynex Semiconductor |
| Cena s DPH : | 52 826,180000 Kč |
| Cena bez DPH : | 43 658,000000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | DIM1000ECM33-MS018 |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 43 658,000000 Kč | 52 826,180000 Kč | ||
| 3 + | 42 567,000000 Kč | 51 506,070000 Kč | ||
| 6 + | 40 384,000000 Kč | 48 864,640000 Kč | ||
| 12 + | 37 109,000000 Kč | 44 901,890000 Kč |
IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,
Základní informace:
| Značení výrobce | DIM1000ECM33-MS018 |
| Typ součástky: | IGBT-SPT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | single-E2*(T+D)+D(Chopper) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 2*IGBT+3*D |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
| Typ materiálu: | Base AlSiC |
| Materiál: Těleso | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | MODUL - E |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 1900 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 2 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 3300 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 1000 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C) | 1000 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.6 [V] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 320 [1000*A2s] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 11900 [W] |
| Esw (125°C) | 4750 [mJ] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| tr (Turn-on / rise time) | 470 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 640 [ns] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.006 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.01 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.018 [°C/W] |
| W - Šířka | 140 [mm] |
| L - Délka | 190 [mm] |
| H - Výška | 38 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 190x140x38 [mm] |