Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

DIM1000ECM33-MS018

IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor
DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:182758
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 52 826,1800 Kč
Cena bez DPH : 43 658,0000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM1000ECM33-MS018
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 43 658,0000 Kč52 826,1800 Kč
3 + 42 567,0000 Kč51 506,0700 Kč
6 + 40 384,0000 Kč48 864,6400 Kč
12 + 37 109,0000 Kč44 901,8900 Kč
IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

Základní informace:

Značení výrobceDIM1000ECM33-MS018 
Typ součástky:IGBT-SPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single-E2*(T+D)+D(Chopper)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:2*IGBT+3*D 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ materiálu:Base AlSiC 
Materiál: TělesoSi-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - E 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1900 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1000 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.6 [V]
I2t (TC/TA=25°C)320 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)11900 [W]
Esw (125°C)4750 [mJ]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)470 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)640 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.006 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.01 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.018 [°C/W]
W - Šířka 140 [mm]
L - Délka 190 [mm]
H - Výška 38 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)190x140x38 [mm]

Potřebujete poradit ? DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace