Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk: jazyk_cz   Kč:    
V košíku nemáte žádné položky

DIM1200ASM45-TF000

IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:182767
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 40 945,1900 Kč
Cena bez DPH : 33 839,0000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM1200ASM45-TF000
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 33 839,0000 Kč40 945,1900 Kč
3 + 32 993,0000 Kč39 921,5300 Kč
6 + 31 301,0000 Kč37 874,2100 Kč
12 + 28 763,0000 Kč34 803,2300 Kč
IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC

Základní informace:

Značení výrobceDIM1200ASM45-TF000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single-E3*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:3*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 3 ks
Typ materiálu:AlSiC základna 
Materiál: TělesoSi-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - A 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:2010.2 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 4500 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)7400 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)3.5 [V]
I2t (TC/TA=25°C)460 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)12500 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)290 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)400 [ns]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin (Input Capacitance)150000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.008 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

W - Šířka 140 [mm]
L - Délka 190 [mm]
H - Výška 48 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)190x140x48 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:CM1200HC-90R 

Potřebujete poradit ? DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace