Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DIM1200ASM45-TF000

IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:182767
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 40 945,190 Kč
Cena bez DPH : 33 839,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM1200ASM45-TF000
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 33 839,000 Kč40 945,190 Kč
3 + 32 993,000 Kč39 921,530 Kč
6 + 31 301,000 Kč37 874,210 Kč
12 + 28 763,000 Kč34 803,230 Kč
IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC

Základní informace:

Značení výrobceDIM1200ASM45-TF000 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - A 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:singl-E 3*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:3*IGBT+3*D 
Typ materiálu:AlSiC základna 
Materiál: TělesoSi-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1700 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 4500 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)7400 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)3.5 [V]
I2t (TC/TA=25°C)460 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)12500 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)290 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)400 [ns]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin (Input Capacitance)150000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.008 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:CM1200HC-90R 

Potřebujete poradit ? DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace