- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Hybrid SiC
- DIM1200ESM33-MH00
DIM1200ESM33-MH00
Rychlé Si IGBT s rychlými SiC diodami - single IGBT Modul 3300V/1200A
Zboží již není skladem
| ID Code: | 185397 |
| Výrobce: | Dynex Semiconductor |
| Cena: | na dotaz |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | DIM1200ESM33-MH00 |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH |
IGBT s nejnovější Trench technologií, optimalizované pro rychlé přepínání a s SiC diodou.
Hybridní modul Si / SiC zajišťuje dokonalou rovnováhu mezi výkonem a náklady. SiC Schottky téměř úplně eliminuje ztrátový výkon při závěrném zotavení . V důsledku toho je ztráta Erec v hybridním modulu nepatrná. Navíc pro aplikace, jako jsou PWM střídače, které využívají tvrdé sepnutí Turn-on je také významné snížení spínacích ztrát kvůli dramatickému snížení zotavovacího proudu Free Weeling diody
Hybridní modul Si / SiC zajišťuje dokonalou rovnováhu mezi výkonem a náklady. SiC Schottky téměř úplně eliminuje ztrátový výkon při závěrném zotavení . V důsledku toho je ztráta Erec v hybridním modulu nepatrná. Navíc pro aplikace, jako jsou PWM střídače, které využívají tvrdé sepnutí Turn-on je také významné snížení spínacích ztrát kvůli dramatickému snížení zotavovacího proudu Free Weeling diody
Základní informace:
| Značení výrobce | DIM1200ESM33-MH00 |
| Kategorie | IGBT Hybrid SiC |
| Konfigurace: | single-E3*(T+D) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 3*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 3 ks |
| Typ materiálu: | SiC Hybrid |
| Material Base | ALSiC |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | MODUL - E |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 1900 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 2 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 3300 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 1200 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C) | 1200 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.9 [V] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 17900 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| tr (Turn-on / rise time) | 360 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 290 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 13000 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 140000 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.007 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.03 [°C/W] |
| W - Šířka | 140 [mm] |
| L - Délka | 190 [mm] |
| H - Výška | 38 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 190x140x38 [mm] |