Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DIM1200ESM33-MH00

Rychlé Si IGBT s rychlými SiC diodami - single IGBT Modul 3300V/1200A

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
Zboží již není skladem
ID Code:185397
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM1200ESM33-MH00
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
IGBT s nejnovější Trench technologií, optimalizované pro rychlé přepínání a s SiC diodou.
Hybridní modul Si / SiC zajišťuje dokonalou rovnováhu mezi výkonem a náklady. SiC Schottky téměř úplně eliminuje ztrátový výkon při závěrném zotavení . V důsledku toho je ztráta Erec v hybridním modulu nepatrná. Navíc pro aplikace, jako jsou PWM střídače, které využívají tvrdé sepnutí Turn-on je také významné snížení spínacích ztrát kvůli dramatickému snížení zotavovacího proudu Free Weeling diody

Základní informace:

Značení výrobceDIM1200ESM33-MH00 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - E 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Konfigurace:singl-E 3*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:SiC Hybrid 
Material BaseALSiC 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1400 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.9 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)17900 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)360 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)290 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.001 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)13000 [nC]
Cin (Input Capacitance)140000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.007 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.03 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Váš dotaz DIM1200ESM33-MH00

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace