IGBT 1200V
ID Code: | 185015 |
Fabricante: | Dynex Semiconductor |
Precio: | a petición |
VAT: | 21 % |
Disponibilidad: | a petición |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | DIM1400H1HS12-PA500 |
Unidad:: | pcs |
Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA |
Fabricante de la marca | DIM1400H1HS12-PA500 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construcción: | 2*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | PrimePACK3 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Unidad: | pcs |
Peso: | 1290 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 2 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1400 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 1400 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 172000 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 7500 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 165 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 230 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 13000 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 118000 pF |
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 250x89x38 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.02 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.036 [°C/W] |
Rthcs pouzdro-chladič | 0.017 [°C/W] |
L - Longitud | 250 [mm] |
W - Ancho | 89 [mm] |
H - Altura | 38 [mm] |
Alternativa 1: | 181735 - SKM1400GB12P4 (SMK) |
Productos alternativos 1: | FF1400R12IP4 |
Productos alternativos 2: | TG1400HF12H1-S300 |
Productos alternativos 3: | 2MBI1400XXB120P-50 |
I+case 86x247_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS10 / PrimePack 3 and in size 86x247mm ID: 182146 Fabricante no.: F05-AL2-86x247mm_PrimePack3
| a petición Fabricante: SEMIC EU |