IGBT Module 3300V/1500A Single Low Conducting Loss Device , Gen4 DMOS
Základní informace:
Značení výrobce | DIM1500ESM33-PS500 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | single-E3*(T+D) ? |
Konstrukce: | 3*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 3 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | MODUL-E |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 1900 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 2 |
Elektro-fyzikální parametry:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1500 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 1500 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.1 [VDC] ?Testovací podmínky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.9 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 720000 [A2s] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 15600 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 340 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 540 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 14800 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 165000 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
Rozměry (L*W*H) [mm]: | 190x140x38 |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.008 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.016 [°C/W] |
L - Délka | 190 [mm] |
W - Šířka | 140 [mm] |
H - Výška | 38 [mm] |
Alternativy a náhrady
Podobné výrobky 1: | FZ1500R33HE3 |
Podobné výrobky 2: | CM1500HC-66R |
Podobné výrobky 3: | MBN1500E33E2 |