Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky
  1. Home
  2. Polovodiče
  3. Diody
  4. Rychlé
  5. Šroub
  6. DR855-250-20N

DR855-250-20N

Rychlé diody 2000V 250A ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DR855-250-20N Polovodiče
DR855-250-20N Polovodiče
DR855-250_PL.pdf
DR855-250_PL.pdf
ks
ID Code:161896
Výrobce:Polovodiče
Cena s DPH : 10 346,710 Kč
Cena bez DPH : 8 551,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:1 ks
Značení výrobce: DR855-250-20N
Centrální sklad Zdice: 1 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 8 551,000 Kč10 346,710 Kč
3 + 8 479,000 Kč10 259,590 Kč
6 + 8 408,000 Kč10 173,680 Kč
15 + 8 336,000 Kč10 086,560 Kč
2000V 250A ,

Základní informace:

Značení výrobceDR855-250-20N 
KategorieDiode Fast Screw 
Typ součástky:Diode Fast 
Konfigurace:single (1D) BA  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
Mezera (podle čísla výrobku) 999.99 [mm]
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:StudB 
Pouzdro:M20 D.SA1 
NOVINKAN 
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:505 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):3 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 2000 [V] ?

Udc - definice pro součástky

Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)250 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.

Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)250 [A]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)30000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)151.25 [1000*A2s]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)4500 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.12 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky

Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Potřebujete poradit ? DR855-250-20N Polovodiče

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Nahoru | Tisk stránky

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace