Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DR855-250-20P

2kV 276A/Tc85°C trr=4.5us/250A , Rthjc=0.12°C/W OK41 šroub=

Polovodiče - Diody - Rychlé - Šroub
Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DR855-250-20P Polovodiče
DR855-250-20P Polovodiče
DR855-250_PL.pdf
DR855-250_PL.pdf
ks
ID Code:140337
Výrobce:Polovodiče
Cena s DPH : 10 357,600 Kč
Cena bez DPH : 8 560,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:2 ks
Značení výrobce: DR855-250-20P
Centrální sklad Zdice: 2 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 8 560,000 Kč10 357,600 Kč
3 + 8 423,000 Kč10 191,830 Kč
5 + 8 355,000 Kč10 109,550 Kč
10 + 8 286,000 Kč10 026,060 Kč
2kV 276A/Tc85°C trr=4.5us/250A , Rthjc=0.12°C/W OK41 šroub=

Základní informace:

Značení výrobceDR855-250-20P 
Typ pouzdra:StudB 
Pouzdro:M20 D.SA1 
KategorieDiode Fast Screw 
Typ součástky:Diode Fast 
Konfigurace:single (1D) BA  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
Mezera (podle čísla výrobku) 999.99 [mm]
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKAN 
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:487.41 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):5 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 2000 [V] ?

Udc - definice pro součástky

Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)250 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.

Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)250 [A]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)30000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)151.25 [1000*A2s]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)4500 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)140 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.12 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky

Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Váš dotaz DR855-250-20P

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Nahoru | Tisk stránky
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace