V košíku nemáte žádné položky

DSEI60-06A

600V 60A/Tc70°C 480A/10ms 50ns/1A/25°C , Rthjc=0,75°C/W TO247-2

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

ID Code:	140340
Výrobce:	Ixys
Cena s DPH :	127,050 Kč
Cena bez DPH :	105,000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	na dotaz
Celkem skladem:	0 ks
Značení výrobce:	DSEI60-06A
Centrální sklad Zdice:	0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů):	0 ks
Jednotka::	ks

600V 60A/Tc70°C 480A/10ms 50ns/1A/25°C , Rthjc=0,75°C/W TO247-2

Hodnota

Mezera (podle čísla výrobku)

999.99 [mm]

Značení výrobce	DSEI60-06A
Typ pouzdra:	THT
Pouzdro:	TO-247AC-2
Kategorie	Diode Fast THT
Typ součástky:	THT
Konfigurace:	1xDioda ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	600 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	60 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=70÷79°C)	60 [A]
U_F (maximum forward voltage)	1.8 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (zpětný proud)	100 [µA]
I²t (T_C/T_A=25°C)	1.15 *[1000A²s]**
P_max s chladičem (T_C=25°C)	166 [W]
t_{rr max} doba zotavení (If=Inom.,@25°C)	50 [ns]

Typ materiálu:

Si-Silicon

T_min (minimální pracovní teplota)	-55 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.75 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²

Počet PIN (vývodů)	2
Rozměry vývodů	0.00 [mm]

Alternativa 1:

60EPF06

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:*
Souhlasím se zpracováním osobních údajů pro zpracování mého dotazu Více informací

Vaše jméno	Váš email
e-mail Vašeho známého
Podívej se na https://www.semic.cz/dsei60-06a-1/
Opište kod z obrázku