Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

FF150R12ME3G

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
FF150R12ME3G Infineon Technologies
ks
ID Code:158513
Výrobce:Infineon Technologies
Cena s DPH : 2 580,930 Kč
Cena bez DPH : 2 133,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: FF150R12ME3G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 2 133,000 Kč2 580,930 Kč
3 + 2 100,000 Kč2 541,000 Kč
5 + 2 084,000 Kč2 521,640 Kč
10 + 2 067,000 Kč2 501,070 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceFF150R12ME3G 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMIX-3p 
KategorieIGBT Full Silicon 
Typ součástky:MODUL 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:412 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 
Velké balení (BOX):
Paleta (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)150 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)4.6 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)695 [W]
tr (Turn-on / rise time)90 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)130 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.02 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)1400 [nC]
Cin (Input Capacitance)10500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.18 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Váš dotaz FF150R12ME3G

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace