Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

FZ1000R33HE3BPSA1

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
FZ1000R33HE3BPSA1 Infineon Technologies
FZ1000R33HE3BPSA1 Infineon Technologies
ks
ID Code:163364
Výrobce:Infineon Technologies
Cena s DPH : 44 986,590 Kč
Cena bez DPH : 37 179,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: FZ1000R33HE3BPSA1
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 37 179,000 Kč44 986,590 Kč
3 + 36 584,000 Kč44 266,640 Kč
5 + 36 287,000 Kč43 907,270 Kč
10 + 35 989,000 Kč43 546,690 Kč


Základní informace:

Značení výrobceFZ1000R33HE3BPSA1 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - F 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:singl-E 2*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.09 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)750 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)750 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)3.1 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.55 [V]
I2t (TC/TA=25°C)260 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)9600 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
tr (Turn-on / rise time)600 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)300 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.01 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)28000 [nC]
Cin (Input Capacitance)190000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-50 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.013 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:161220 - DIM1000NSM33-TL000 (DYN) 
Alternativa 2:161208 - DIM1000NSM33-TS000 (DYN) 

Váš dotaz FZ1000R33HE3BPSA1

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace