Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

GA200TD120U

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
GA200TD120U International Rectifier
GA200TD120U International Rectifier
ks
ID Code:140366
Výrobce:International Rectifier
Cena s DPH : 4 356,004 Kč
Cena bez DPH : 3 600,003 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: GA200TD120U
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 3 600,003 Kč4 356,004 Kč
12 + 4 320,004 Kč5 227,205 Kč
24 + 4 320,004 Kč5 227,205 Kč
48 + 4 320,004 Kč5 227,205 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceGA200TD120U 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMITRANS-3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSNe 
REACHNe 
NOVINKA

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:423 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)3.2 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.3 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1040 [W]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)196 [ns]
tr (Turn-on / rise time)201 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)341 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.04 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)1660 [nC]
Cin (Input Capacitance)37343 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.12 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:- BSM100GB120DLK () 
Podobné výrobky 1:MG150Q2YS51 

Související zboží - GA200TD120U

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035   Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks45,00043,00042,00037,000
Celkem skladem: 761
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz GA200TD120U

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace