Přihlásit se

Česká republika (čeština)

angličtina (english)

Německo (Deutsch)

Rakousko (Deutsch)

Švýcarsko (Deutsch)

Slovensko (slovenčina)

Maďarsko (magyar)

Rumunsko (Română)

Francie (français)

Itálie (italiano)

Polsko (polski)

Estonsko (eesti keel)

Rusko (pусский)

Španělsko (español)

Slovinsko (slovenščina)

Chorvatsko (hrvatski)

Bulharsko (български)

V košíku nemáte žádné položky

GBPC3510F/P

1000V 35A/50°C , Ui=2.5kV 1.4°C/W

Polovodiče - Usměrňovací můstky - 1f - neřízené - Standardní 50Hz

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

GBPC3510F/P -

GBPC3510F/P -

GBPC35_CH.pdf

ID Code:	137270
Výrobce:	-
Cena s DPH :	65,340 Kč
Cena bez DPH :	54,000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	Skladem
Celkem skladem:	202 ks
Značení výrobce:	GBPC3510
Centrální sklad Zdice:	202 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů):	0 ks
Jednotka::	ks

množstevní slevy
Počet	Cena bez DPH	Cena s DPH
1 +	54,000 Kč	65,340 Kč
13 +	49,000 Kč	59,290 Kč
25 +	42,300 Kč	51,183 Kč
50 +	37,200 Kč	45,012 Kč

1000V 35A/50°C , Ui=2.5kV 1.4°C/W

Základní informace:

Značení výrobce	GBPC3510
Typ pouzdra:	MODUL
Pouzdro:	MQF2907P_VI
Vývody:	Faston 6.3
Typ součástky:	Bridge 1f Uncontrolled Standard
Konfigurace:	Můstek 1f ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Typ materiálu:	Si-Silicon
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	15.2 [g]
Typ balení:	BOX
Malé balení (počet jednotek):	50

Elektro-fyzikální parametry:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1000 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	35 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	35 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	2500 [V]
U_F (maximum forward voltage)	1.1 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (zpětný proud)	5 [µA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)	999999 [V/µs]
I²t (T_C/T_A=25°C)	0.66 *[1000A²s]**

Teplotní a mechanické parametry:

T_min (minimální pracovní teplota)	-65 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	1.4 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
Počet PIN (vývodů)	4
Rozměry vývodů	0.00 [mm]

Nahoru | Tisk stránky

Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie. Další informace