Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

HGTP5N120BND

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
HGTP5N120BND ON Semiconductor (Farchild)
HGTP5N120BND ON Semiconductor (Farchild)
ks
ID Code:140410
Výrobce:ON Semiconductor (Farchild)
Cena s DPH : 52,151 Kč
Cena bez DPH : 43,100 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:567 ks
Značení výrobce: HGTP5N120BND
Centrální sklad Zdice: 567 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 43,100 Kč52,151 Kč
10 + 39,700 Kč48,037 Kč
25 + 36,300 Kč43,923 Kč
50 + 34,100 Kč41,261 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceHGTP5N120BND 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:TO-220AB 
KategorieIGBT Full Silicon 
Typ součástky:THT 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:2.3 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):50 
Velké balení (BOX):
Paleta (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)21 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)21 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)10 [A]
UF (maximum forward voltage)2.7 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.45 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)167 [W]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)65 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)175 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.03 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)53 [nC]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.75 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Počet PIN (vývodů)
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Váš dotaz HGTP5N120BND

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace