Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

IHW30N160R2

Reverse conducting IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312W

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
IHW30N160R2 Infineon Technologies
IHW30N160R2 Infineon Technologies
ks
ID Code:174442
Výrobce:Infineon Technologies
Cena s DPH : 122,210 Kč
Cena bez DPH : 101,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:1664 ks
Značení výrobce: IHW30N160R2
Centrální sklad Zdice: 1664 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Předpokládaná dodací lhůta pro další množství: Obsolete ?

Očekávaná dodací lhůta

Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 101,000 Kč122,210 Kč
15 + 95,800 Kč115,918 Kč
30 + 90,500 Kč109,505 Kč
60 + 85,200 Kč103,092 Kč
TrenchStop® Reverse conducting IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312W
3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications

Základní informace:

Značení výrobceIHW30N160R2 
Předpokládaná dodací lhůta pro další množstvíObsolete  ?

Očekávaná dodací lhůta

Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:TO-247AC-3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Typ součástky:N-MOSFET 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:7.7 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 
Velké balení (BOX):240 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1600 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)60 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)60 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)30 [A]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.1 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)312 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)111 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)38 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.1 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Cin (Input Capacitance)2740 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.48 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.48 [°C/W]
Rth-a (tepelný odpor)40 [°C/W] ?

Rth-a - definice pro různé součástky


Rth-a = Rthja pro celé pouzdro

Rth-a - chladič délka L=100mm

Rth-a - chladič /ks

Počet PIN (vývodů)
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:182532 - IXYH24N170CV1 (IXY) 
Alternativa 2:183528 - IHW30N160R5 (INF) 
Podobné výrobky 1:IHW30N160R2FKSA1 

Váš dotaz IHW30N160R2

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace