Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

IKW30N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies
ks
ID Code:186014
Výrobce:Infineon Technologies
Cena s DPH : 56,991 Kč
Cena bez DPH : 47,100 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:30 ks
Značení výrobce: IKW30N60DTPXKSA1
Centrální sklad Zdice: 30 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 47,100 Kč56,991 Kč
15 + 43,600 Kč52,756 Kč
30 + 39,300 Kč47,553 Kč
60 + 36,300 Kč43,923 Kč


Základní informace:

Značení výrobceIKW30N60DTPXKSA1 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:TO-247AC-3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:7.16 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)53 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)53 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)38 [A]
UF (maximum forward voltage)1.7 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.6 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)200 [W]
tr (Turn-on / rise time)21 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)12 [ns]
Qg (Total Gate Charge)130 [nC]
Cin (Input Capacitance)1050 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.75 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.55 [°C/W]
Počet PIN (vývodů)
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:IKW30N60DTPXKSA1 

Váš dotaz IKW30N60DTPXKSA1

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace