ID Code: | 129793 |
Výrobce: | Infineon Technologies |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | IRF7353D1PBF |
Jednotka:: | ks |
množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH |
Značení výrobce | IRF7353D1PBF |
Kategorie | FET+Diode (FETKY) |
Typ součástky: | N-FETKY |
Konfigurace: | single 1*(T+D) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Specifikace: | Enhancement Mode |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
Typ pouzdra: | SMD |
Pouzdro: | SO- 8 |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 0.77 [g] |
Typ balení: | TUBE |
Malé balení (počet jednotek): | 95 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 30 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 6.5 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 6.5 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 5.2 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 0.5 [VDC] ? Testovací podmínky: |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 3600 [V/µs] |
Pmax bez chladiče ( TA=25°C) | 2 [W] |
RDS (on) 5V (UGS=4.5÷5.0V) | 32 [mΩ] |
Qg (Total Gate Charge) | 22 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 650 [pF] |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rth-a (tepelný odpor) | 62.5 [°C/W] ? Rth-a - definice pro různé součástky Rth-a = Rthja pro celé pouzdro Rth-a - chladič délka L=100mm Rth-a - chladič /ks |
Počet PIN (vývodů) | 8 |
Rozměry vývodů | 0.00 [mm] |