Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

IXGN200N60B3

IGBT 600V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
IXGN200N60B3 Ixys
IXGN200N60B3 Ixys
ks
ID Code:171553
Výrobce:Ixys
Cena s DPH : 781,660 Kč
Cena bez DPH : 646,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: IXGN200N60B3
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 646,000 Kč781,660 Kč
3 + 636,000 Kč769,560 Kč
5 + 631,000 Kč763,510 Kč
10 + 626,000 Kč757,460 Kč
IGBT 600V

Základní informace:

Značení výrobceIXGN200N60B3 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:1*Tranzistor  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:44.3 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)300 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)300 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)1.5 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)830 [W]
tr (Turn-on / rise time)44 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)310 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.03 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)750 [nC]
Cin (Input Capacitance)26000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.15 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:171551 - IXGN200N60B (IXY) 

Související zboží - IXGN200N60B3

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,00017,00016,00014,000
Celkem skladem: 2259
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz IXGN200N60B3

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace