Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

IXYN100N120C3H1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 134A 690000mW 4-Pin SOT-227B

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
IXYN100N120C3H1 Ixys
IXYN100N120C3H1 Ixys
ks
ID Code:178795
Výrobce:Ixys
Cena s DPH : 1 225,730 Kč
Cena bez DPH : 1 013,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:78 ks
Značení výrobce: IXYN100N120C3H1
Centrální sklad Zdice: 78 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 013,000 Kč1 225,730 Kč
3 + 988,000 Kč1 195,480 Kč
6 + 937,000 Kč1 133,770 Kč
12 + 861,000 Kč1 041,810 Kč
Rychlé IGBT 1200V / 60A - pro aplikace 20-50kHz

Základní informace:

Značení výrobceIXYN100N120C3H1 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:44.61 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)140 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)140 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)49 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)49 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.7 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)3.5 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)690 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)235 [ns]
tr (Turn-on / rise time)116 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)125 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.05 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)260 [nC]
Cin (Input Capacitance)4950 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.18 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.52 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Související zboží - IXYN100N120C3H1

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,00017,00016,00014,000
Celkem skladem: 2259
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz IXYN100N120C3H1

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace