MBRTT600150A

SCHOTTKY DIODE 150V 2x300A Common Cathode

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

MBRTT600150_ADR_Da.pdf

ID Code:	185243
Výrobce:	Daco Semiconductor
Cena s DPH :	2 605,130000 Kč
Cena bez DPH :	2 153,000000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	na dotaz

Celkem skladem:	0 ks
Značení výrobce:	MBRTT600150A
Jednotka::	ks

Přehled množstevních slev
Počet (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		2 153,000000 Kč		2 605,130000 Kč
5 +		2 030,000000 Kč		2 456,300000 Kč
10 +		1 784,000000 Kč		2 158,640000 Kč
20 +		1 722,000000 Kč		2 083,620000 Kč

Základní informace:

Značení výrobce	MBRTT600150A
Typ součástky:	Diode Schottky Silicon
Kategorie	Diode Schottky Modul
Konfigurace:	com.anode 2D ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Počet obvodů (v pouzdře)	2 ks
Typ pouzdra:	Modul
Pouzdro [inch] :	TO-240AA
Typ materiálu:	Si-Silicon
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	A
RoHS1	Ano

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	85 [g]
Typ balení:	BOX
Malé balení (počet jednotek):	10

Elektro-fyzikální parametry:

If (AV) per pkg.	600 [A]
I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	300 [A]
I_F(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)	300 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	2500 [V]
U_F (maximum forward voltage)	0.88 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (zpětný proud)	4000 [µA]

Teplotní a mechanické parametry:

*Rozměry (LWH)* [mm]:	92x20x29
T_min (minimální pracovní teplota)	-55 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.28 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
L - Délka	92 [mm]
W - Šířka	20 [mm]
H - Výška	29 [mm]

Související zboží - MBRTT600150A

I+case 20,3x 92,5_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra TO-244AA, SEMIPACK-1 a v rozměru 20,3x 92,5 mm
ID: 176032 Zn.výrobce: F05-AL2_20,3x92,5mm SEMIPACK1