Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MG150Q2YS40

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MG150Q2YS40 Toshiba
MG150Q2YS40 Toshiba
Zboží již není skladem
ID Code:157353
Výrobce:Toshiba
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MG150Q2YS40_TS
Předpokládaná dodací lhůta pro další množství: Obsolete ?

Očekávaná dodací lhůta

Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceMG150Q2YS40_TS 
Předpokládaná dodací lhůta pro další množstvíObsolete  ?

Očekávaná dodací lhůta

Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMITRANS-3s 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.09 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)150 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)150 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)[V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1100 [W]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)500 [ns]
tr (Turn-on / rise time)600 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)500 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.01 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)600 [nC]
Cin (Input Capacitance)18000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.11 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:137892 - SKM150GB12T4G (SMK) 

Související zboží - MG150Q2YS40

I+2MBI300- 62x108=005W-AL I+2MBI300- 62x108=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra se základnou 62x108mm pro tepelně náročné aplikace
ID: 176028   Zn.výrobce: F05-AL2- 62x108mm  
na dotaz
Výrobce: -  
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz MG150Q2YS40

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace