Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

MG50Q1BS1

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MG50Q1BS1 Toshiba
MG50Q1BS1 Toshiba
MG50Q1BS1 Toshiba
ks
ID Code:144264
Výrobce:Toshiba
Cena s DPH : 2 117,501815 Kč
Cena bez DPH : 1 750,001500 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MG50Q1BS1
Dodací lhůta výrobce: Obsolete ?

Očekávaná dodací lhůta

Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 1 750,001500 Kč2 117,501815 Kč
10 + 1 687,501500 Kč2 041,876815 Kč
25 + 1 625,001400 Kč1 966,251694 Kč
50 + 1 562,501400 Kč1 890,626694 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceMG50Q1BS1 
Dodací lhůta výrobceObsolete [wk] ?

Očekávaná dodací lhůta

KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single (1T)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*IGBT 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ pouzdra:Modul 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSNe 
REACHNe 
NOVINKA

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:93.5 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):25 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.7 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)300 [W]
tr (Turn-on / rise time)300 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)600 [ns]
Cin (Input Capacitance)7800 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.41 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? MG50Q1BS1 Toshiba

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace