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MJ21193G+MJ21194G set

Trans GP BJT PNP+NPN 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

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MJ21193G+MJ21194G set ON Semiconductor (Farchild)
MJ21193G+MJ21194G set ON Semiconductor (Farchild)
MJ21193G+MJ21194G set ON Semiconductor (Farchild)
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ID Code:185650
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
Preis inkl. MwSt. : 33,041296 €
Preis ohne MwSt. : 27,306856 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:3 !_set_!
Herstellerkennzeichnung: MJ21193G+MJ21194G set
Zentrallager Zdice: 3 !_set_!
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20 + 22,011460 €26,633867 €
Trans GP BJT PNP+NPN 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMJ21193G+MJ21194G set 
Art der Komponente:Transistor Bipolar PNP 
KategorieBipolar PNP 
Konfiguration:single (1T) 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO- 3 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:!_set_! 
Gewicht:16.87 [g]
Verpackungstyp:TRAY 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):20 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)-16 [A]
UCE (sat) (@25°C)-1.4 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)250 [W]
fmax max.frequency (max./typ.)[MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

hFE current gain (max./typ.)8÷ 75 

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO- 3 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-65 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)200 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.7 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster11 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 39 [mm]
L1 - Länge 19.5 [mm]
W - Breite 25.5 [mm]
H - Höhe 8.52 [mm]
T - Dicke1.6 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,05 [mm]
Lv - Anschlusslänge11 [mm]

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