SiC Schottky Barrier Diodes SiC 1200V 12A/135°C
Información básica:
Fabricante de la marca | MSC010SDA120B |
Plazo de entrega de fábrica | 42wk-49wk [wk] |
Tipo de componente: | Diode Schottky SiC |
Kategorie | Diode Schottky THT |
Configuración: | single (1D) |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | THT |
Caso [inch] : | TO-247AD_2 |
Tipo de material: | SiC |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 7.08 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 30 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 25 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C) | 12 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=140÷149°C) | 9 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 115 [W] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | TO-247 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 1.3 [°C/W] |
RM - Ráster | 11.12 [mm] |
Number of Pins | 2 |
L - Longitud | 20.57 [mm] |
W - Ancho | 15.62 [mm] |
H - Altura | 4.7 [mm] |
PIN dimensiones | 1,26x0,61 [mm] |
Lv - Length of outlets | 16 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Productos alternativos 1: | C4D10120H |