SiC Schottky Barrier Diodes 1200V 22A/135°C
Základné informácie:
Označenie výrobcu | MSC020SDA120S |
Dodacia lehota vo výrobe | 42wk-49wk [wk] |
Typ súčiastky: | Diode Schottky SiC |
Kategorie | Diode Schottky THT |
Konfigurácia: | single (1D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 1 ks |
Typ puzdra: | SMD |
Puzdro [inch] : | TO-268AA |
Typ materiálu: | SiC |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 4.2 [g] |
Typ balenia: | TUBE |
Malé balenie (počet jednotiek): | 30 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 49 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C) | 22 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=140÷149°C) | 18 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
Pmax s chladičom (TC=25°C) | 158 [W] |
Teplotné a mechanické parametre:
Rozmery (L*W*H) [mm]: | TO-268 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -55 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.95 [°C/W] |
RM - Rozstup vývodov | 5.45 [mm] |
L - Dĺžka | 15 [mm] |
W - Šírka | 16 [mm] |
H - Výška | 5 [mm] |
Rozmery vývodov | 1,32 [mm] |
Lv - Dĺžka vývodov | 3.81 [mm] |