Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSC025SMA120S

1200V Mosfet SiC, 89A / D3PAK

ks
ID Code:186369
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 1 185,921 Kč
Cena bez DPH : 980,100 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:30 ks
Značení výrobce: MSC025SMA120S
Centrální sklad Zdice: 30 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 980,100 Kč1 185,921 Kč
5 + 939,230 Kč1 136,468 Kč
10 + 898,390 Kč1 087,052 Kč
25 + 857,560 Kč1 037,648 Kč
1200V Mosfet SiC, 89A / D3PAK
Eliminuje potřebu Freewheeling diode = Rychlé a spolehlivé body diody

Základní informace:

Značení výrobceMSC025SMA120S 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD 
Konfigurace:single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:1*FET-BD 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:SMD 
Pouzdro:TO-268AA 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:[g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)89 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)63 [A]
Pmax s chladičem (TC=25°C)370 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)31 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)14 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)18 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin (Input Capacitance)3020 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.27 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.41 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů5.45 [mm]
Počet PIN (vývodů)
W - Šířka 16 [mm]
L - Délka 15 [mm]
H - Výška [mm]
Rozměry vývodů1,32 [mm]
Lv - Délka vývodů3.81 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:C3M0032120J1 

Potřebujete poradit ? MSC025SMA120S Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace