Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

MSC040SMA120J

1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227

ks
ID Code:185861
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 1 493,1400 Kč
Cena bez DPH : 1 234,0000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Objednáno
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSC040SMA120J
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 234,0000 Kč1 493,1400 Kč
5 + 1 182,5400 Kč1 430,8734 Kč
10 + 1 043,0400 Kč1 262,0784 Kč
25 + 995,6300 Kč1 204,7123 Kč
1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227
Eliminuje potřebu Freewheeling diode

Základní informace:

Značení výrobceMSC040SMA120J 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfigurace:single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:1*FET-BD 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 
Velké balení (BOX):180 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)53 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)53 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)37 [A]
Pmax s chladičem (TC=25°C)208 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)50 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)100 [ns]
tr (Turn-on / rise time)10 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)137 [nC]
Cin (Input Capacitance)1990 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.27 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.48 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:183083 - DACMI 80N1200 (DAC) 
Alternativa 2:183087 - DACMH120N1200 (DAC) 

Související zboží - MSC040SMA120J

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,000017,000016,000014,0000
Celkem skladem: 410
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? MSC040SMA120J Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace