MSC040SMA120J

1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

MSC040SMA120J_Ms.pdf

SiC_Brochure_Ms.pdf

Power Management_MCH.pdf

ID Code:	185861
Výrobce:	Microchip Technology
Cena s DPH :	1 435,6650 Kč
Cena bez DPH :	1 186,5000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	Skladem
Celkem skladem:	70 ks
Značení výrobce:	MSC040SMA120J
Centrální sklad Zdice:	70 ks
Jednotka::	ks

množstevní slevy
Počet	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		1 186,5000 Kč		1 435,6650 Kč
5 +		1 137,0600 Kč		1 375,8426 Kč
10 +		1 002,9300 Kč		1 213,5453 Kč
25 +		957,3400 Kč		1 158,3814 Kč

1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227
Eliminuje potřebu Freewheeling diode

Základní informace:

Značení výrobce	MSC040SMA120J
Typ součástky:	SiC MOSFET Tranzistor
Kategorie	Full SiC (MOS-BD)
Konfigurace:	single 1*(T-BD) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Specifikace:	SiC N-Channel MOSFET
Konstrukce:	1*FET-BD
Typ materiálu:	SiC Full
RoHS	Ano
REACH	Ne
Typ pouzdra:	MODUL
Pouzdro:	SOT-227
NOVINKA	A
RoHS1	Ano

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	36 [g]
Typ balení:	TUBE
Malé balení (počet jednotek):	10
Velké balení (BOX):	180

Elektro-fyzikální parametry:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	53 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	53 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=100÷109°C)	37 [A]
P_max s chladičem (T_C=25°C)	208 [W]
Input Logic Level (U_GS level)	20V
R_{DS (on)} 10V (U_GS=10÷15V)	50 [mΩ]
t_{rr max} doba zotavení (If=Inom.,@25°C)	100 [ns]
t_r (Turn-on / rise time)	10 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	25 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	137 [nC]
C_in (Input Capacitance)	1990 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

T_min (minimální pracovní teplota)	-55 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	175 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.27 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
Rthjc1 IGBT	0.48 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů	15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů	12.7 [mm]
Počet PIN (vývodů)	3
D - Ø vnější	4.1 [mm]
W - Šířka	25.3 [mm]
L - Délka	38.1 [mm]
H - Výška	12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)	SOT-227 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:	183083 - DACMI 80N1200 (DAC)
Alternativa 2:	183087 - DACMH120N1200 (DAC)

Související zboží - MSC040SMA120J

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709 Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni