1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227
Información básica:
Fabricante de la marca | MSC040SMA120J |
Plazo de entrega de fábrica | 42wk-49wk [wk] |
Tipo de componente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configuración: | single 1*(T-BD) |
Especificación: | SiC N-Channel MOSFET |
Construcción: | 1*FET-BD |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SOT-227 |
Tipo de material: | SiC Full |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 36 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 10 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 37 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 208 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 100 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 10 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 137 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1990 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.27 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.48 [°C/W] |
RM - Ráster | 15 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 12.7 [mm] |
D - Diámetro externo | 4.1 [mm] |
L - Longitud | 38.1 [mm] |
W - Ancho | 25.3 [mm] |
H - Altura | 12 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Alternativa 1: | 183083 - DACMI 80N1200 (DAC) |