Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSC040SMA120J

1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227

ks
ID Code:185861
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 1 435,6650 Kč
Cena bez DPH : 1 186,5000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:70 ks
Značení výrobce: MSC040SMA120J
Centrální sklad Zdice: 70 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 186,5000 Kč1 435,6650 Kč
5 + 1 137,0600 Kč1 375,8426 Kč
10 + 1 002,9300 Kč1 213,5453 Kč
25 + 957,3400 Kč1 158,3814 Kč
1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227
Eliminuje potřebu Freewheeling diode

Základní informace:

Značení výrobceMSC040SMA120J 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfigurace:single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:1*FET-BD 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 
Velké balení (BOX):180 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)53 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)53 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)37 [A]
Pmax s chladičem (TC=25°C)208 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)50 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)100 [ns]
tr (Turn-on / rise time)10 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)137 [nC]
Cin (Input Capacitance)1990 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.27 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.48 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:183083 - DACMI 80N1200 (DAC) 
Alternativa 2:183087 - DACMH120N1200 (DAC) 

Související zboží - MSC040SMA120J

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,000017,000016,000014,0000
Celkem skladem: 1774
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? MSC040SMA120J Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace