- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSC040SMA120S
MSC040SMA120S
1200V Mosfet SiC, 64A / D3PAK
| ID Code: | 186376 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 912,945000 Kč |
| Cena bez DPH : | 754,500000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | Skladem |
| Celkem skladem: | 30 ks |
| Značení výrobce: | MSC040SMA120S |
| Centrální sklad Zdice: | 30 ks |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 754,500000 Kč | 912,945000 Kč | ||
| 5 + | 723,060000 Kč | 874,902600 Kč | ||
| 10 + | 638,000000 Kč | 771,980000 Kč | ||
| 25 + | 609,000000 Kč | 736,890000 Kč |
1200V Mosfet SiC, 64A / D3PAK
Eliminuje potřebu Freewheeling diode = Rychlé a spolehlivé body diody
Eliminuje potřebu Freewheeling diode = Rychlé a spolehlivé body diody
Základní informace:
| Značení výrobce | MSC040SMA120S |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
| Konfigurace: | single 1*(T-BD) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 1*FET-BD |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | SMD |
| Pouzdro: | TO-268AA |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 4.2 [g] |
| Typ balení: | TUBE |
| Malé balení (počet jednotek): | 30 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 64 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 64 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 45 [A] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 303 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 50 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 31 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 13 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 13 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 137 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 1990 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.27 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.5 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 5.45 [mm] |
| Počet PIN (vývodů) | 3 |
| W - Šířka | 16 [mm] |
| L - Délka | 15 [mm] |
| H - Výška | 5 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | TO-268 [mm] |
| Rozměry vývodů | 1,32 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 3.81 [mm] |