- Home
- Polovodiče
- Diody
- Schottky
- SiC
- MSC050SDA120S
MSC050SDA120S
SiC diode 1200V 49A/135°C D3-PAK
| ID Code: | 186379 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 622,0610 Kč |
| Cena bez DPH : | 514,1000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSC050SDA120S |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 514,1000 Kč | 622,0610 Kč | ||
| 5 + | 492,6600 Kč | 596,1186 Kč | ||
| 10 + | 434,5400 Kč | 525,7934 Kč | ||
| 25 + | 414,7900 Kč | 501,8959 Kč |
SiC Schottky Barrier Diode 1200V 49A/135°C
Základní informace:
| Značení výrobce | MSC050SDA120S |
| Typ součástky: | Diode Schottky SiC |
| Kategorie | Diode Schottky THT |
| Konfigurace: | single (1D) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Počet obvodů (v pouzdře) | 1 ks |
| Typ pouzdra: | THT |
| Pouzdro [inch] : | TO-268AA |
| Typ materiálu: | SiC |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 4.2 [g] |
| Typ balení: | TUBE |
| Malé balení (počet jednotek): | 30 |
Elektro-fyzikální parametry:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 109 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C) | 49 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=140÷149°C) | 41 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 429 [W] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Rozměry (L*W*H) [mm]: | TO-268 |
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.35 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 5.45 [mm] |
| Počet PIN (vývodů) | 2 |
| L - Délka | 15 [mm] |
| W - Šířka | 16 [mm] |
| H - Výška | 5 [mm] |
| Rozměry vývodů | 1,32 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 3.81 [mm] |