Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSC080SMA120S

1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET in a TO-268 (D3PAK) package, Id = 35A

ks
ID Code:187563
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 396,517 Kč
Cena bez DPH : 327,700 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSC080SMA120S
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 327,700 Kč396,517 Kč
5 + 314,090 Kč380,049 Kč
10 + 300,430 Kč363,520 Kč
25 + 286,780 Kč347,004 Kč


Základní informace:

Značení výrobceMSC080SMA120S 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD 
Konfigurace:single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:1*FET-BD 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:SMD 
Pouzdro:TO-268AA 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:[g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)35 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)35 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)25 [A]
Pmax s chladičem (TC=25°C)182 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)100 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)34 [ns]
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)15 [ns]
Qg (Total Gate Charge)64 [nC]
Cin (Input Capacitance)838 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.27 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.83 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů5.45 [mm]
Počet PIN (vývodů)
W - Šířka 16 [mm]
L - Délka 15 [mm]
H - Výška [mm]
Rozměry vývodů1,32 [mm]
Lv - Délka vývodů3.81 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:C3M0032120J1 

Potřebujete poradit ? MSC080SMA120S Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace