- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSC100SM70JCU2
MSC100SM70JCU2
Boost Chopper Sic Mosfet Power Module 700V / 124A SOT-227
| ID Code: | 188033 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 2 035,462000 Kč |
| Cena bez DPH : | 1 682,200000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSC100SM70JCU2 |
| Dodací lhůta výrobce: | 42wk-49wk ? Očekávaná dodací lhůta |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 1 682,200000 Kč | 2 035,462000 Kč | ||
| 5 + | 1 612,120000 Kč | 1 950,665200 Kč | ||
| 10 + | 1 542,020000 Kč | 1 865,844200 Kč | ||
| 25 + | 1 471,930000 Kč | 1 781,035300 Kč |
Základní informace:
| Značení výrobce | MSC100SM70JCU2 |
| Dodací lhůta výrobce | 42wk-49wk [wk] ? Očekávaná dodací lhůta |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurace: | Low side 1*(Boost Chopper) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 1*FET-BD+1*D |
| Typ pouzdra: | Modul |
| Pouzdro [inch] : | SOT-227 |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 36 [g] |
| Typ balení: | TUBE |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| UDS | 700 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 98 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 400 [µA] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 365 [W] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 38 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 35 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 20 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 215 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 4500 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Rozměry (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.41 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.742 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 15 [mm] |
| RM1 - Rozteč řad vývodů | 12.7 [mm] |
| D - Ø vnější | 4.1 [mm] |
| L - Délka | 38.1 [mm] |
| W - Šířka | 25.3 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |