MSCDC100H70AG

SiC Diode Full Bridge Power Module 700V/ 100A SP6C

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

MSCDC100H70AG_MIS.pdf

Power Management_MCH.pdf

ID Code:	188051
Výrobce:	Microchip Technology
Cena s DPH :	8 632,5030 Kč
Cena bez DPH :	7 134,3000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	na dotaz

Celkem skladem:	0 ks
Značení výrobce:	MSCDC100H70AG
Centrální sklad Zdice:	0 ks
Jednotka::	ks

Přehled množstevních slev
Počet (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		7 134,3000 Kč		8 632,5030 Kč
5 +		6 837,0700 Kč		8 272,8547 Kč
10 +		6 539,8100 Kč		7 913,1701 Kč
25 +		6 242,5400 Kč		7 553,4734 Kč

Základní informace:

Značení výrobce	MSCDC100H70AG
Typ součástky:	Bridge 1f Uncontrolled Schottky
Kategorie	Bridge Schottky SiC
Konfigurace:	Bridge 1f ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Počet obvodů (v pouzdře)	2 ks
Typ pouzdra:	Modul
Pouzdro [inch] :	SP6-3
Typ materiálu:	SiC
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	A
RoHS1	Ano

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	330 [g]
Typ balení:	TUBE
Malé balení (počet jednotek):	1

Elektro-fyzikální parametry:

I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	100 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=70÷79°C)	100 [A]
I_F(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)	35 [A]
I_F(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)	30 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	1.8 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (zpětný proud)	400 [µA]

Teplotní a mechanické parametry:

*Rozměry (LWH)* [mm]:	108x62x17
T_min (minimální pracovní teplota)	-40 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	175 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.456 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
RM - Rozteč vývodů	6 [mm]
L - Délka	108 [mm]
W - Šířka	62 [mm]
H - Výška	17 [mm]
Rozměry vývodů	2,8 [mm]
Lv - Délka vývodů	5 [mm]

Související zboží - MSCDC100H70AG

I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709 Zn.výrobce: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni