Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCDC200H120AG

SiC Diode Full Bridge Power Module 1200V/ 200A SP6C

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MSCDC200H120AG Microchip Technology
MSCDC200H120AG Microchip Technology
MSCDC200H120AG Microchip Technology
ks
ID Code:188054
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 16 286,237 Kč
Cena bez DPH : 13 459,700 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCDC200H120AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 13 459,700 Kč16 286,237 Kč
5 + 12 898,860 Kč15 607,621 Kč
10 + 12 338,040 Kč14 929,028 Kč
25 + 11 777,220 Kč14 250,436 Kč


Základní informace:

Značení výrobceMSCDC200H120AG 
KategorieBridge Schottky SiC 
Typ součástky:Bridge 1f Uncontrolled Schottky 
Konfigurace:Bridge 1f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ materiálu:SiC 
Mezera (podle čísla výrobku) 999.99 [mm]
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP6-3 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:330 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):13 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)200 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)35 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)30 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)800 [µA]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.16 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů[mm]
W - Šířka 62 [mm]
L - Délka 108 [mm]
H - Výška 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x17 [mm]
Rozměry vývodů2,8 [mm]
Lv - Délka vývodů[mm]

Související zboží - MSCDC200H120AG

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,00017,00016,00014,000
Celkem skladem: 3252
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? MSCDC200H120AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace