Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCDC50H1201AG

1f můstek 1200V/ 50A s SiC schottky diodami

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MSCDC50H1201AG Microsemi / Microchip Technology
MSCDC50H1201AG Microsemi / Microchip Technology
ks
ID Code:186159
Výrobce:Microsemi / Microchip Technology
Cena s DPH : 3 479,960 Kč
Cena bez DPH : 2 876,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCDC50H1201AG
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 2 876,000 Kč3 479,960 Kč
5 + 2 756,000 Kč3 334,760 Kč
10 + 2 637,000 Kč3 190,770 Kč
25 + 2 517,000 Kč3 045,570 Kč
1f můstek MSCDC50H1201AG 1700V/ 50A s SiC schottky diodami
Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF - Snadné paralelní řazení , nízká rozptylová indukčnost, vysoká pracovní přechodu, vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu, nízké ztráty a nízké EMI rušení. Velmi robustní konstrukce, snadná montáž přímo na chladič (izolované pouzdro), Nízký tepelný odpor spoje a pouzdra,
Aplikace: Usměrňovače napájecích zdrojů, Svařecí zařízení a invertory, Vysokorychlostní usměrňovače, Indukční ohřevy, Zdroje nepřerušitelného napájení

Základní informace:

Značení výrobceMSCDC50H1201AG 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL-SP1F 
Počet obvodů (v pouzdře) 4 ks
Typ materiálu:SiC Full 
Mezera (podle čísla výrobku) 999.99 [mm]
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:80 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)50 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)400 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)200 [µA]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.56 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Související zboží - MSCDC50H1201AG

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,00017,00016,00014,000
Celkem skladem: 2569
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz MSCDC50H1201AG

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace