Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

MSCDC50H1201AG

1f můstek 1200V/ 50A s SiC schottky diodami

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MSCDC50H1201AG Microchip Technology
MSCDC50H1201AG Microchip Technology
MSCDC50H1201AG Microchip Technology
ks
ID Code:186159
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 3 769,5130 Kč
Cena bez DPH : 3 115,3000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCDC50H1201AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 3 115,3000 Kč3 769,5130 Kč
5 + 2 985,5100 Kč3 612,4671 Kč
10 + 2 855,7100 Kč3 455,4091 Kč
25 + 2 725,9100 Kč3 298,3511 Kč
1f můstek MSCDC50H1201AG 1200V/ 50A s SiC schottky diodami
Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF - Snadné paralelní řazení , nízká rozptylová indukčnost, vysoká pracovní přechodu, vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu, nízké ztráty a nízké EMI rušení. Velmi robustní konstrukce, snadná montáž přímo na chladič (izolované pouzdro), Nízký tepelný odpor spoje a pouzdra,
Aplikace: Usměrňovače napájecích zdrojů, Svařecí zařízení a invertory, Vysokorychlostní usměrňovače, Indukční ohřevy, Zdroje nepřerušitelného napájení

Základní informace:

Značení výrobceMSCDC50H1201AG 
Typ součástky:Bridge 1f Uncontrolled Schottky 
KategorieBridge Schottky SiC 
Konfigurace:Bridge 1f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Počet obvodů (v pouzdře) 4 ks
Typ materiálu:SiC 
Mezera (podle čísla výrobku) 999.99 [mm]
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP1F 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:96 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)50 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)200 [µA]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.56 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů3.8 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 38 [mm]
W - Šířka 42.5 [mm]
L - Délka 51.6 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)52x43x12 [mm]
Rozměry vývodů1,4 [mm]
Lv - Délka vývodů5.8 [mm]

Související zboží - MSCDC50H1201AG

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,000017,000016,000014,0000
Celkem skladem: 110
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? MSCDC50H1201AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace