MSCMC170AM08CT6LIAG

Full SiC MOSFET 1700V/ 207A + SiC Diode - půl můstek

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

MSCMC170AM08CT6LIAG Microchip Technology

MSCMC170AM08CT6LIAG_Ms.pdf

SiC_Brochure_Ms.pdf

ID Code:	186152
Výrobce:	Microchip Technology
Cena s DPH :	151 119,3200 Kč
Cena bez DPH :	124 892,0000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	na dotaz

Celkem skladem:	0 ks
Značení výrobce:	MSCMC170AM08CT6LIAG
Centrální sklad Zdice:	0 ks
Jednotka::	ks

množstevní slevy
Počet	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		124 892,0000 Kč		151 119,3200 Kč
5 +		119 688,0000 Kč		144 822,4800 Kč
10 +		114 484,0000 Kč		138 525,6400 Kč
25 +		109 280,0000 Kč		132 228,8000 Kč

MOSFET 1700V Full SiC - půl můstek s velmi nízkou rozptylovou indukčností
Toto jsou vlastnosti zařízení MSCSM120AM02CT6LIAG: Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí svorky M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: řízení motorů - trakční pohony

Základní informace:

Značení výrobce	MSCMC170AM08CT6LIAG
Typ součástky:	SiC MOSFET Tranzistor
Kategorie	Full SiC (MOS-BD+D)
Konfigurace:	Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Specifikace:	SiC Enhancement Mode MOSF
Konstrukce:	2FET-BD+2D
Typ materiálu:	SiC Full
Material Base	Cu
RoHS	Ano
REACH	Ano
Typ pouzdra:	MODUL
NOVINKA	A
RoHS1	Ano
UL94	V-0

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	320 [g]
Typ balení:	BOX
Malé balení (počet jednotek):	6

Elektro-fyzikální parametry:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1700 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	280 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	280 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=80÷89°C)	207 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	1.9 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
P_max s chladičem (T_C=25°C)	1780 [W]
Input Logic Level (U_GS level)	20V
R_{DS (on)} 10V (U_GS=10÷15V)	11.7 [mΩ]
t_{rr max} doba zotavení (If=Inom.,@25°C)	70 [ns]
t_r (Turn-on / rise time)	75 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	55 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	11228 [nC]
C_in (Input Capacitance)	22000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

T_min (minimální pracovní teplota)	-40 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	175 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.075 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
Rthjc1 IGBT	0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor	0.086 [°C/W]
Rozměry vývodů	0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:

186277 - MSCSM170AM058CT6LIAG (MCH)

Související zboží - MSCMC170AM08CT6LIAG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm