- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120A10CT1AG
MSCSM120A10CT1AG
Full SiC MOSFET 1200V / 24A
| ID Code: | 186233 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 2 472,030000 Kč |
| Cena bez DPH : | 2 043,000000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM120A10CT1AG |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Dodací lhůta výrobce: | 42wk-49wk ? Očekávaná dodací lhůta |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 2 043,000000 Kč | 2 472,030000 Kč | ||
| 3 + | 1 995,000000 Kč | 2 413,950000 Kč | ||
| 5 + | 1 971,000000 Kč | 2 384,910000 Kč | ||
| 10 + | 1 947,000000 Kč | 2 355,870000 Kč |
• SiC Power MOSFET - Vysokorychlostní přepínání, - Nízký Rdson - Ultra nízká ztráta
• Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon
• Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM120A10CT1AG |
| Dodací lhůta výrobce | 42wk-49wk [wk] ? Očekávaná dodací lhůta |
| Typ součástky: | SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurace: | Half Bridge ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 2*FET-BD+2*D |
| Typ pouzdra: | Modul |
| Pouzdro [inch] : | SP1F |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 96 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 10 |
Elektro-fyzikální parametry:
| UDS | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 24 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 146 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 100 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 31 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 64 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 838 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Rozměry (L*W*H) [mm]: | 52x43x12 |
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 1.03 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 1.55 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 3.8 [mm] |
| RM1 - Rozteč řad vývodů | 38 [mm] |
| L - Délka | 51.6 [mm] |
| W - Šířka | 42.5 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozměry vývodů | 1,4 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 5.8 [mm] |