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MSCSM120AM027CT6AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SIC Diode

Stück
ID Code:185287
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 1 653,162500 €
Preis ohne MwSt. : 1 366,250000 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120AM027CT6AG
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
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25 + 1 195,469841 €1 446,518508 €
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M5 power connectors
. Internal thermistor for temperature monitoring
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120AM027CT6AG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:2*FET-BD+2*D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SP6-3 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:330 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)584 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)1800 [µA]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)2970 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2088 [nC]
Cin (Input Capacitance)27000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:108x62x17 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
RM - Anschlussraster[mm]
L - Länge 108 [mm]
W - Breite 62 [mm]
H - Höhe 17 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse2,8 [mm]
Lv - Anschlusslänge[mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:MD400HFR120B3S 

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