Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120AM027D3AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MSCSM120AM027D3AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120AM027D3AG Microchip Technology - Microsemi
ks
ID Code:185448
Výrobce:Microchip Technology - Microsemi
Cena s DPH : 29 364,280 Kč
Cena bez DPH : 24 268,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Objednáno
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120AM027D3AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 24 268,000 Kč29 364,280 Kč
3 + 22 783,000 Kč27 567,430 Kč
6 + 21 584,000 Kč26 116,640 Kč
12 + 20 888,000 Kč25 274,480 Kč
MOSFET 1200V Full SiC - půl můstek s nízkou rozptylovou indukčností
Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Velmi nízké Rdson, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Kelvinový zdroj pro snadné řízení, Nízká rozptylová indukčnost, M6 napájecí svorky, AlN substrát pro lepší tepelný přenos
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony

Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120AM027D3AG 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS) 
Typ součástky:N-MOSFET 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:SiC Full 
Material BaseCu 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:374.66 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):12 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)733 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)584 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)1800 [µA]
Pmax s chladičem (TC=25°C)2970 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)3.5 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)67 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.06 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)2088 [nC]
Cin (Input Capacitance)27000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:180902 - CAS120M12BM2 (WOL) 
Alternativa 2:174576 - SKM350MB120SCH17 (SMK) 
Podobné výrobky 1:MD400HFR120C2S 
Podobné výrobky 2:FF2MR12KM1 

Související zboží - MSCSM120AM027D3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035   Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks45,00043,00042,00037,000
Celkem skladem: 540
Výrobce: -  
RoHS
2ASC-12A1HP SiC Core 2ASC-12A1HP SiC Core   Jádro ovladače SiC modulů 1200V 2 x 3W, plně programovatelné softwarem
ID: 182593   Zn.výrobce: 2ASC-12A1HP  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks4 221,0004 046,0003 870,0003 078,000
Celkem skladem: 3
Výrobce: Microchip Technology - Microsemi  
RoHS
62CA1-Adapter Board 2ASC-12A1HP 62CA1-Adapter Board 2ASC-12A1HP   Deska adaptéru jádra budiče 2ASC-12A1HP pro SiC moduly 62mm
ID: 183674   Zn.výrobce: 62CA1  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks2 412,0002 311,0002 211,0002 110,000
Celkem skladem: 1
Výrobce: Microchip Technology - Microsemi  
RoHS
2ASC-12A1HP-62mm KIT BOX 2ASC-12A1HP-62mm KIT BOX   Startovací vývojový KIT s jádry ovladačů SiC modulů 1200V 2 x 3W, plně programovatelné softwarem
ID: 183839   Zn.výrobce: ASDAK-2ASC-12A1HP-62  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks15 562,00014 914,00014 265,00013 617,000
Celkem skladem: 1
Výrobce: Microchip Technology - Microsemi  
RoHS
62EM1-00001 62EM1-00001   Budič SiC modulů s výchozím nastavením
ID: 185154   Zn.výrobce: 62EM1-00001 Non Coating  
Množství [ks]1+6+10+24+
CZK/ks6 487,0006 201,0005 624,0005 208,000
na dotaz
Výrobce: Microchip Technology - Microsemi  
RoHS
ASBK-014 ASBK-014   PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver
ID: 185353   Zn.výrobce: ASBK-014  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks4 812,0004 611,0004 411,0004 210,000
Celkem skladem: 2
Výrobce: Microchip Technology - Microsemi  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz MSCSM120AM027D3AG

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace