Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120AM036D3AG

MOSFET 1200V Full SiC

ks
ID Code:185422
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 27 289,130000 Kč
Cena bez DPH : 22 553,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120AM036D3AG
Dodací lhůta výrobce: 42wk-49wk ?

Očekávaná dodací lhůta

Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 22 553,000000 Kč27 289,130000 Kč
3 + 20 298,000000 Kč24 560,580000 Kč
6 + 17 479,000000 Kč21 149,590000 Kč
12 + 16 915,000000 Kč20 467,150000 Kč
MOSFET 1200V Full SiC - půl můstek bez zpětných SiC diod
Vysoký teplotní výkon, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kelvin Emitor pro snadné řízení, Vysoký stupeň integrace, M6 napájecí svorky, AlN substrát pro lepší tepelný přenos
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony

Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120AM036D3AG 
Dodací lhůta výrobce42wk-49wk [wk] ?

Očekávaná dodací lhůta

Typ součástky:SiC MOSFET-BD 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD 
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SEMITRANS-3 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:355 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)450 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)2031 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)3.6 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1392 [nC]
Cin (Input Capacitance)18100 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:108x62x31 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.074 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů28 [mm]
L - Délka 106.4 [mm]
W - Šířka 61.4 [mm]
H - Výška 30.5 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:176372 - CAS300M12BM2 (WOL) 
Alternativa 2:173619 - SKM500MB120SC (SMK) 
Podobné výrobky 1:MD400HFR120C2S 
Podobné výrobky 2:FF3MR12KM1 
Podobné výrobky 3:FF2MR12KM1 

Související zboží - MSCSM120AM036D3AG

I+case 62x106_F05-AL2 I+case 62x106_F05-AL2   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035   Zn.výrobce: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3  
Množství [ks]1+50+200+500+
CZK/ks60,00000057,20000054,20000051,400000
Celkem skladem: 9004
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? MSCSM120AM036D3AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace