Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120AM036D3AG

MOSFET 1200V Full SiC

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MSCSM120AM036D3AG Microsemi
MSCSM120AM036D3AG Microsemi
ks
ID Code:185422
Výrobce:Microsemi
Cena s DPH : 24 560,580 Kč
Cena bez DPH : 20 298,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120AM036D3AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 20 298,000 Kč24 560,580 Kč
3 + 18 268,000 Kč22 104,280 Kč
MOSFET 1200V Full SiC - půl můstek bez zpětných SiC diod
Vysoký teplotní výkon, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kelvin Emitor pro snadné řízení, Vysoký stupeň integrace, M6 napájecí svorky, AlN substrát pro lepší tepelný přenos
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony

Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120AM036D3AG 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS) 
Typ součástky:N-MOSFET 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHAno 
NOVINKA
UL94V-0 

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)460 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)460 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)2031 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)3.6 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)67 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.06 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)1392 [nC]
Cin (Input Capacitance)18100 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:SiC Full 
Material BaseCu 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.074 [°C/W]

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:350 [g]
Počet jednotek v balení:

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:CAS300M12BM2 
Alternativa 2:SKM500MB120SC 
Podobné výrobky 1:MD400HFR120C2S 
Podobné výrobky 2:FF3MR12KM1 
Podobné výrobky 3:FF2MR12KM1 

Související zboží - MSCSM120AM036D3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035   Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm  
Množství [ks]1+10+
CZK/ks45,00043,000
Celkem skladem: 926
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz MSCSM120AM036D3AG

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace